静电放电(ElectrostaticDischarge简称ESD)会造成电子产品和设备功能紊乱，甚至部件损坏。随着电子产业的蓬勃发展，集成电路(IC)产品制造工艺不断微型化，IC性能和运算速度日益提高，静电放电引起的产品失效问题越来越突出。ESD在芯片和系统设计中是一项很重要的指标，通常暴露在外面的接口更要注意静电防护。根据ESD产生的原因及其对集成电路放电方式的不同，目前ESD测试标准有很多种，可以分为芯片级和系统级。

      本篇着重介绍芯片级测试，芯片测试标准有很多种，测试模型可以分为人体放电模型，机器模型和充电器件模型3种模式。

      这里介绍关于esd测试标准之人体放电模型(HumanBodyModel，HBM)：人体放电模型（HBM）的ESD是指因人体在地上走动摩擦或其它因素在人体上已累积了静电，当此人去碰触集成电路时，人体上的静电便会经由集成电路的管脚而进入集成电路内，再经由集成电路放电到地。此放电过程会在短到几百纳秒的时间内产生数安培的瞬时放电电流，此电流会把集成电路内的组件烧毁。
有关HBM的ESD标准有MIL-STD-883JMethod3015.9、EIA/JESD22-A114-A（JEDEC，1997）。

 
 
人体模型器件ESD失效阈值分级

 
 

esd测试人体模型的典型放电波形图（其中充电电压2000V时峰值电流为1.3A）