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IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
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MOSFET
MOS管是一种具有绝缘栅的FET,其中电压决定了器件的电导率。
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TSS半导体放电管
半导体放电管,是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。
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GDT陶瓷气体放电管
简述;
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陶瓷气体放电管是由电压导通的开关型器件,使用中并联在被保护设备的线与线或线与地端之间。陶瓷气体放电管是防雷保护设备中应用最广泛的开关器件,浪涌电流大,可达20KA、4 -
SCR可控硅
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保险丝
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TVS瞬态抑制二极管
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ESD静电保护器件
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整流器件
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MOV压敏电阻
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